IGBT GD150HFL120C2S
тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT GD150HFL120C2S
Описание и технические характеристики IGBT модуля GD150HFL120C2S
Описание:
Модуль GD150HFL120C2S — это высоковольтный IGBT-модуль с диодом обратного хода (FRD), предназначенный для применения в мощных преобразователях частоты, инверторах, промышленных приводах и системах управления электродвигателями. Модуль выполнен по технологии NPT (Non-Punch Through) и обладает высокой надежностью, низкими коммутационными потерями и хорошей перегрузочной способностью.
Технические характеристики:
| Параметр | Значение | |---------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT + FRD (Freewheeling Diode) | | Конфигурация | 1 в 1 (одиночный) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В | | Номинальный ток (IC) | 150 А (при 25°C) | | Импульсный ток (ICM) | 300 А | | Мощность рассеивания (Ptot) | ~500 Вт (зависит от охлаждения) | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | ~2,0 В (при номинальном токе) | | Время включения (ton) | ~35 нс | | Время выключения (toff) | ~150 нс | | Температура перехода (Tj) | -40°C до +150°C | | Термическое сопротивление (Rth(j-c)) | ~0,12 °C/Вт | | Корпус | Стандартный модуль (например, 62 мм) |
Парт-номера и совместимые модели:
Аналоги от других производителей:
- Infineon: FF150R12RT4, FF150R12KE3
- Mitsubishi: CM150DY-12H
- Fuji Electric: 2MBI150N-120
- SEMIKRON: SKM150GB12T4
- IXYS (Littelfuse): MIXA150WB1200CH
Совместимые замены (проверьте распиновку и параметры!):
- GD150HFL120C1S (предыдущая версия)
- GD150HFL120C2 (аналог без некоторых улучшений)
- GD150HFL120C2S1 (модифицированная версия)
Применение:
- Преобразователи частоты
- Инверторы для электродвигателей
- Промышленные источники питания
- Тяговые системы
Если вам нужна точная замена, рекомендуется сверить datasheet и распиновку перед установкой.