IGBT FS50R12KT4-B11

Описание IGBT FS50R12KT4-B11

FS50R12KT4-B11 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Infineon Technologies, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Модуль объединяет в одном корпусе IGBT-транзисторы с обратными диодами (антипараллельные диоды), что делает его удобным для использования в инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|---------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C при 25°C) | 50 А | | Максимальный импульсный ток (I_CM) | 100 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | 300 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,85 В (при I_C = 50 А) | | Тепловое сопротивление переход-корпус (R_thJC) | 0,25 К/Вт | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Тип корпуса | 23 мм (EconoPACK™ 2) | | Встроенные диоды | Да (Fast Recovery Diode) | | Время переключения (t_on/t_off) | 60 нс / 220 нс |

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы для электроприводов
• Сварочное оборудование
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленные системы управления

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги Infineon:

• FS50R12KT4 (базовая версия без «-B11»)
• FS50R12KE3 (с другими характеристиками диода)

Аналоги других производителей:

• SEMiX304GB12E4s (Semikron)
• CM50DY-12H (Mitsubishi)
• MG50Q1BS41 (Fuji Electric)

Совместимые модули в других корпусах:

• FP50R12KT4 (EconoPACK™ 3)
• FS75R12KT4 (аналог с большим током, 75 А)

Примечание

При замене модуля необходимо учитывать не только электрические параметры, но и тепловые характеристики, а также разводку выводов. Для точной совместимости рекомендуется сверяться с даташитами производителей.

Если вам нужна дополнительная информация (например, графики характеристик или схемы подключения), уточните запрос!