IGBT-модуль FP25R12W2T4

Описание IGBT-модуля FP25R12W2T4

Производитель: Infineon Technologies
Серия: EconoPACK™ 2
Тип модуля: IGBT-модуль с диодом обратного восстановления (IGBT + Diode)
Назначение: Преобразователи частоты, инверторы, сварочное оборудование, промышленные приводы.

Модуль объединяет в одном корпусе транзисторы IGBT и антипараллельные диоды, обеспечивая высокую эффективность и компактность в силовых приложениях.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C при 25°C) | 25 А |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 50 А |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1,85 В (тип.) |
| Время включения/выключения (t_on/t_off) | 45 нс / 320 нс |
| Диод обратного восстановления (V_RRM) | 1200 В |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,75 °C/Вт |
| Корпус | EconoPACK™ 2 (62 мм × 34 мм) |
| Рабочая температура | -40°C ... +150°C |
| Крепление | Винтовое (монтаж на радиатор) |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги Infineon:

• FP25R12W2T4_B11 (альтернативная версия с улучшенными параметрами)
• FP25R12KT4 (аналогичный модуль с другим тепловым сопротивлением)

Совместимые модели других производителей:

• SEMIKRON: SKM25GB12T4
• Mitsubishi Electric: CM25DY-12S
• Fuji Electric: 2MBI25U-120

Похожие модули в других сериях Infineon:

• FP30R12W2T4 (30 А, 1200 В)
• FP20R12W2T4 (20 А, 1200 В)

Примечания

• Модуль требует использования термопасты и радиатора для эффективного охлаждения.
• Рекомендуется проверять документацию перед заменой аналогами, так как характеристики могут незначительно отличаться.

Для точного подбора аналога используйте datasheet Infineon или консультацию с поставщиком.