IGBT BSM50GD120DN2

Описание IGBT BSM50GD120DN2

BSM50GD120DN2 — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Infineon Technologies, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Модуль используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах, промышленных двигателях и системах управления мощностью.

Модуль содержит два IGBT транзистора (полумостовая конфигурация) с антипараллельными диодами, что позволяет эффективно управлять индуктивными нагрузками.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|-----------------------------------| | Тип модуля | IGBT полумост (2x IGBT + диоды) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) | 50 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CM) | 100 А | | Мощность (P_tot) | 250 Вт | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | 2.1 В (при 25 А) | | Время включения (t_on) | 95 нс | | Время выключения (t_off) | 350 нс | | Напряжение затвора (V_GE) | ±20 В | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.25 К/Вт | | Диапазон температур | -40°C ... +150°C | | Корпус | 34-контактный, модуль (плоский) |

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги (Infineon / Eupec)

• BSM50GD120DN2H (обновленная версия)
• BSM50GP120 (аналог с похожими характеристиками)
• BSM50GB120DN2 (альтернатива в другом корпусе)

Совместимые аналоги от других производителей

• Mitsubishi: CM50DY-12H
• Fuji Electric: 2MBI50N-120
• SEMIKRON: SKM50GB12T4
• ON Semiconductor: NGTB50N120FL2WG

Применение

• Преобразователи частоты
• Промышленные приводы
• Сварочные инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Системы возобновляемой энергии (солнечные инверторы)

Если вам нужна дополнительная информация (например, цоколёвка или графики характеристик), уточните запрос!