IGBT BSM150GB120DN2F_E3256

Описание IGBT модуля BSM150GB120DN2F_E3256

Производитель: Infineon Technologies
Тип: IGBT-модуль с диодом обратного хода (FRD)
Назначение: Мощные инверторы, преобразователи частоты, системы управления двигателями, сварочное оборудование, промышленные приводы, возобновляемая энергетика.

Модуль выполнен в стандартном корпусе 34 мм, имеет низкие динамические потери и высокую перегрузочную способность. Оснащен встроенным температурным датчиком (NTC) для мониторинга нагрева.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток (I_C при 25°C): 150 А
• Ток коллектора (I_C при 80°C): 90 А
• Импульсный ток (I_CM): 300 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 540 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2.1 В (при 150 А)
• Время включения (t_on): 55 нс
• Время выключения (t_off): 320 нс

Встроенный диод:

• Обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
• Прямой ток (I_F): 150 А
• Падение напряжения (V_F): 1.7 В

Терморезистор (NTC):

• Сопротивление при 25°C: 10 кОм
• B-значение: 3435 K

Механические параметры:

• Корпус: модуль с изолированным основанием (Isolated Baseplate)
• Монтаж: винтовое соединение
• Вес: ~150 г
• Рабочая температура: от -40°C до +150°C

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Infineon:

• BSM150GB120DN2 (базовая версия без суффикса E3256)
• BSM150GB120DLC (с улучшенными динамическими характеристиками)
• BSM150GB120DL2 (аналог с похожими параметрами)

Совместимые/альтернативные модели других производителей:

• Mitsubishi: CM150DY-12S
• Fuji Electric: 2MBI150U2A-120
• SEMIKRON: SKM150GB12T4
• ON Semiconductor: NXH150B120H4Q1

Примечание

При замене модуля на аналог рекомендуется проверить:

• Распиновку и схему подключения
• Наличие встроенного NTC-термистора
• Динамические характеристики (особенно для высокочастотных применений).

Для точного подбора аналога лучше обратиться к документации производителя (Datasheet BSM150GB120DN2).