IGBT 7MBP50RE-120

Описание IGBT модуля 7MBP50RE-120

Производитель: Mitsubishi Electric (или другой, если уточнено)
Тип: Двухканальный IGBT-модуль с обратным диодом
Назначение: Применяется в преобразователях частоты, инверторах, сварочном оборудовании, системах управления электроприводами и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (IC @25°C): 50 А
• Импульсный ток коллектора (ICM): 100 А
• Максимамая рассеиваемая мощность (PD): 200 Вт (зависит от охлаждения)
• Падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat)): ~2.1 В (при IC=50A)
• Время включения (ton): ~100 нс
• Время выключения (toff): ~400 нс

Встроенный диод (FWD):

• Максимальное обратное напряжение (VRRM): 1200 В
• Средний прямой ток (IF(AV)): 25 А
• Импульсный прямой ток (IFM): 50 А

Тепловые характеристики:

• Температура перехода (Tj): -40°C до +150°C
• Тепловое сопротивление (Rth(j-c)): ~0.35 °C/Вт

Механические характеристики:

• Корпус: модульный, изолированный (под винтовое крепление)
• Монтаж: на радиатор с теплопроводящей пастой

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Mitsubishi: 7MBP50RA120, 7MBP50VA120
• Fuji Electric: 2MBi50U-120
• Infineon: FF50R12RT4
• SEMIKRON: SKM50GB12T4

Совместимые модули (по характеристикам):

• IR (Infineon): IRG4PH50UD
• Toshiba: MG50Q2YS40

Примечание

Для точного подбора аналога рекомендуется сверяться с даташитом и учитывать:

• Напряжение (1200 В)
• Ток (50 А)
• Конструкцию корпуса и расположение выводов.

Если у вас есть дополнительные требования (например, для замены в конкретном устройстве), уточните модель оборудования.