IGBT 7MBI50N120

Описание IGBT 7MBI50N120

7MBI50N120 — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Mitsubishi Electric, предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и других силовых электронных устройств. Модуль содержит два IGBT с антипараллельными диодами в одном корпусе, что делает его пригодным для мостовых схем (например, в частотных преобразователях и сварочных инверторах).

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (VCES = 1200 В)
• Большой ток коллектора (IC = 50 А) при 25°C
• Низкое падение напряжения (VCE(sat) = 2,2 В)
• Встроенные быстрые диоды (FRD)
• Изолированный корпус для удобного монтажа на радиатор

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------|
| Макс. напряжение (VCES) | 1200 В |
| Ток коллектора (IC при 25°C) | 50 А |
| Ток коллектора (IC при 80°C) | 25 А |
| Пиковый ток (ICM) | 100 А |
| Падение напряжения (VCE(sat)) | 2,2 В (тип.) |
| Скорость переключения | до 20 кГц |
| Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0,35 °C/Вт |
| Корпус | 7MB (2 в 1, изолированный) |
| Температура хранения | -40°C до +125°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и заменители:

• Fuji Electric: 2MBI50N-120
• Infineon: FF50R12RT4
• Semikron: SKM50GB12T4
• IXYS (Littelfuse): MIXA50WB1200T

Похожие модели Mitsubishi:

• 7MBR50SB120 (с улучшенными диодами)
• 7MBR50VA120 (низкие потери)
• 7MBI75N120 (75 А, 1200 В)

Применение

• Частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Промышленные приводы

Модуль 7MBI50N120 совместим с драйверами серии M579xxL (например, M57962L).

Если нужны дополнительные параметры (графики, схемы подключения), уточните!