IGBT 6MBI50U4A120-50

Описание и технические характеристики IGBT модуля 6MBI50U4A120-50

Производитель: Mitsubishi Electric (или другой, если уточнено)
Тип: IGBT-модуль с диодом обратного хода (NPT, Non-Punch Through)
Назначение: Преобразование энергии в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и промышленных приводах.

Основные характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 50 А (при 25°C) |
| Импульсный ток (I_CP) | 100 А |
| Макс. рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,1 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 80 нс |
| Время выключения (t_off) | 200 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Тип корпуса | 6MBI (Mini-DIP) |

Встроенный диод:

• Макс. обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
• Прямой ток (I_F): 50 А

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Mitsubishi Electric:

• 6MBI50U4-120
• 6MBI50U4-120-50 (возможны вариации в маркировке)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF50R12KT4
• SEMIKRON: SKM50GB12T4
• Fuji Electric: 2MBI50U4A-120
• ON Semiconductor: NGTB50N120FL2WG

Примечание: При замене необходимо учитывать распиновку, тепловые характеристики и параметры встроенного диода.

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если требуется уточнение по конкретному производителю или аналогам, укажите дополнительные детали.