IGBT 32NAB12T49

Описание IGBT модуля 32NAB12T49

IGBT 32NAB12T49 – это высоковольтный силовой модуль, содержащий IGBT-транзисторы с антипараллельными диодами. Применяется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и промышленных системах управления электроприводами.

Технические характеристики

• Тип модуля: IGBT + диод (NPT-технология)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C при 25°C): 32 А
• Ток коллектора (I_C при 100°C): 16 А
• Импульсный ток (I_CM): 64 А
• Мощность рассеяния (P_tot): 150 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,5 В (тип.)
• Время включения (t_on): 50 нс
• Время выключения (t_off): 300 нс
• Температура перехода (T_j): -40°C … +150°C
• Корпус: модульный, изолированный (например, 17-выводной)
• Сопротивление изоляции (V_ISO): 2500 В (мин.)

Парт-номера и совместимые аналоги

Оригинальные аналоги:

• 32NAB12T49 (оригинальный номер)
• 32NAB1200T49 (возможный вариант маркировки)

Совместимые замены (от других производителей):

• Infineon: FF75R12RT4, FF50R12RT4
• Mitsubishi: CM75DY-12S
• Fuji Electric: 2MBI100S-120
• SEMIKRON: SKM75GB12T4
• IXYS: MIXA75W1200T4

Примечание: При замене необходимо учитывать электрические характеристики и конструктивное исполнение (распиновку, охлаждение).

Если вам нужна точная замена, уточните производителя оригинального модуля (например, Toshiba, Infineon и др.).