IGBT 2MBI50L-120

IGBT 2MBI50L-120
Артикул: 295567

IGBT 2MBI50L-120 — силовой полупроводниковый компонент для ремонта и обслуживания промышленной электроники. Перед заказом сверьте обозначение 2MBI50L-120, корпус, распиновку и электрические параметры с оригинальной деталью.

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание IGBT 2MBI50L-120

Описание IGBT-модуля 2MBI50L-120

Производитель: Mitsubishi Electric (возможны аналоги от других брендов)
Тип: IGBT-модуль с диодным обратным восстановлением (Dual IGBT + Diode)
Назначение: Преобразование и управление мощностью в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, промышленных приводах и системах управления электродвигателями.


Технические характеристики

Основные параметры:

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 1200 В
  • Номинальный ток коллектора (IC @100°C): 50 А
  • Ток коллектора (IC @25°C): 75 А (кратковременно до 150 А)
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Ptot): 200 Вт
  • Падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat)): ~2.2 В (при IC = 50 А)
  • Время включения (ton): ~120 нс
  • Время выключения (toff): ~400 нс
  • Температура перехода (Tj): от -40°C до +150°C
  • Корпус: 2-в-1 (два IGBT с антипараллельными диодами в одном модуле)

Параметры встроенного диода:

  • Максимальный обратный ток (IF): 50 А
  • Прямое падение напряжения (VF): ~1.8 В
  • Время восстановления (trr): ~150 нс

Механические характеристики:

  • Тип изоляции: Термопроводящая изолирующая подложка
  • Монтаж: Винтовое крепление (M4 или M5)
  • Вес: ~100–120 г

Парт-номера и аналогичные модели

Оригинальные аналоги от Mitsubishi:

  • 2MBI50U4H-120 (аналог с улучшенными характеристиками)
  • 2MBI50L-060 (версия на 600 В)
  • 2MBI50N-120 (альтернативная серия)

Совместимые модели от других производителей:

  • Infineon: FF50R12RT4, FF75R12RT4
  • Fuji Electric: 2MBI50L-120 (тот же код, но от Fuji)
  • SEMIKRON: SKM50GB12T4
  • ON Semiconductor: NGTB50N120FL2WG

Международные аналоги:

  • IXYS: IXGH50N120B3
  • STMicroelectronics: STGW50H120DF

Примечания по замене

  1. Проверяйте распиновку и конструкцию корпуса — у аналогов могут быть различия в креплении и подключении.
  2. Учитывайте параметры встроенного диода — если он критичен для вашей схемы.
  3. Обратите внимание на тепловые характеристики — у разных производителей может отличаться эффективность охлаждения.

Если нужна точная замена, лучше уточнять datasheet конкретного модуля.


Для более детальной информации рекомендуется проверить официальный даташит Mitsubishi Electric или документацию производителя заменяемого модуля.

Дополнительная информация

IGBT 2MBI50L-120 предназначен для замены и ремонта силовых электронных узлов. Точное обозначение компонента — 2MBI50L-120. Для правильного подбора необходимо сверить полную маркировку, тип корпуса, схему выводов, допустимые ток и напряжение, а также параметры управления с документацией оборудования и оригинальным компонентом. При сомнениях отправьте специалисту магазина фото маркировки и платы.

#IGBT #IGBTМодуль #2MBI50L120 #СиловаяЭлектроника #Полупроводники #ЭлектронныеКомпоненты #РемонтЭлектроники #ПромышленнаяЭлектроника #Комплектующие #ПодборКомпонентов

Товары из этой же категории