IGBT 2MBI200U4H120-50

IGBT 2MBI200U4H120-50
Артикул: 295305

IGBT 2MBI200U4H120-50 — силовой полупроводниковый компонент для ремонта и обслуживания промышленной электроники. Перед заказом сверьте обозначение 2MBI200U4H120-50, корпус, распиновку и электрические параметры с оригинальной деталью.

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание IGBT 2MBI200U4H120-50

Описание и технические характеристики IGBT модуля 2MBI200U4H120-50

Производитель: Mitsubishi Electric (или другой, если указано иное)
Тип модуля: IGBT-модуль с диодом обратного хода (DUAL)
Назначение: Преобразование энергии в силовых электронных устройствах, таких как инверторы, частотные преобразователи, сварочное оборудование и др.


Основные технические характеристики

1. Электрические параметры

  • Максимальное коллектор-эмиттерное напряжение (VCES): 1200 В
  • Номинальный ток коллектора (IC): 200 А (при 25°C)
  • Импульсный ток (ICP): 400 А
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)): ~1,8–2,5 В (зависит от тока)
  • Максимальная рассеиваемая мощность (PD): ~1000 Вт (зависит от охлаждения)
  • Встроенный диод обратного хода: Да (FRD)
    • Максимальное обратное напряжение диода (VRRM): 1200 В
    • Ток диода (IF): 200 А

2. Динамические параметры

  • Время включения (ton): ~50–100 нс
  • Время выключения (toff): ~200–300 нс
  • Рабочая частота: до 20–30 кГц

3. Тепловые параметры

  • Температура перехода (Tj): от -40°C до +150°C
  • Тепловое сопротивление (Rth(j-c)): ~0,12–0,15 °C/Вт
  • Крепление: Винтовое, требует теплоотвода

4. Механические параметры

  • Корпус: Стандартный модуль (например, 62 мм × 108 мм × 30 мм)
  • Вес: ~200–300 г
  • Тип изоляции: Гальваническая изоляция базы

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены от других производителей:

  • Infineon: FF200R12KE3
  • SEMIKRON: SKM200GB12T4
  • Fuji Electric: 2MBI200U4H-120
  • IXYS (Littelfuse): MIXA200PH1200TA

Совместимые модели в линейке Mitsubishi (если применимо):

  • 2MBI200U4H-120 (аналогичный, возможно, с небольшими отличиями)
  • 2MBI200U4H-50 (модификация с другим охлаждением)
  • 2MBI200U4H-060 (600 В версия)

Применение

  • Промышленные инверторы
  • Электроприводы
  • Сварочные аппараты
  • Источники бесперебойного питания (ИБП)
  • Тяговая электротранспортная техника

Если вам нужны более точные данные (например, графики зависимости тока от температуры), стоит обратиться к официальному даташиту производителя.

Дополнительная информация

IGBT 2MBI200U4H120-50 предназначен для замены и ремонта силовых электронных узлов. Точное обозначение компонента — 2MBI200U4H120-50. Для правильного подбора необходимо сверить полную маркировку, тип корпуса, схему выводов, допустимые ток и напряжение, а также параметры управления с документацией оборудования и оригинальным компонентом. При сомнениях отправьте специалисту магазина фото маркировки и платы.

#IGBT #IGBTМодуль #2MBI200U4H12050 #СиловаяЭлектроника #Полупроводники #ЭлектронныеКомпоненты #РемонтЭлектроники #ПромышленнаяЭлектроника #Комплектующие #ПодборКомпонентов

Товары из этой же категории