IGBT 2MBI150U4H-170-07

Описание IGBT модуля 2MBI150U4H-170-07

Производитель: Mitsubishi Electric (часть серии NXT)
Тип: Двухключевой IGBT модуль (Dual IGBT) с обратным диодом
Назначение: Применяется в инверторах, частотных преобразователях, системах управления двигателями, сварочном оборудовании и промышленных источниках питания.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1700 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 150 А (при T_c=80°C)
• Ток импульса (I_CP): 300 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 600 Вт
• Тип IGBT: NXT поколение (низкие потери, высокая эффективность)
• Встроенные диоды: Быстровосстанавливающие диоды (FRD)

Тепловые параметры:

• Диапазон рабочих температур (T_j): от -40°C до +150°C
• Термосопротивление (R_th(j-c)): 0.12 °C/Вт

Динамические характеристики:

• Время включения (t_on): ~110 нс
• Время выключения (t_off): ~500 нс
• Скорость нарастания напряжения (dv/dt): до 10 кВ/мкс

Механические параметры:

• Корпус: модуль с изолированным основанием (изоляция до 2500 В)
• Монтаж: винтовое соединение
• Вес: ~200 г

Парт-номера и совместимые модели

Альтернативные парт-номера Mitsubishi:

• 2MBI150U4H-170 (базовая версия без уточнения ревизии)
• 2MBI150U4H-170-50 (другая ревизия)

Совместимые аналоги от других производителей:

1. Infineon: FF150R17ME4
2. SEMIKRON: SKM150GB17T4
3. Fuji Electric: 2MBI150U4H-170 (OEM-версии Fuji)

Замены с учетом характеристик:

• Для менее мощных систем: 2MBI100U4H-170 (100 А)
• Для повышенной мощности: 2MBI200U4H-170 (200 А)

Примечания

• Модуль требует качественного охлаждения (радиатор + термопаста).
• Рекомендуется проверять datasheet на совместимость с драйверами (например, Mitsubishi M57962L).
• Для замены аналогами важно учитывать не только электрические параметры, но и механические габариты.

Если нужны дополнительные данные (например, графики зависимостей или схемы подключения), уточните!