IGBT 2MBI150N060

Описание и технические характеристики IGBT модуля 2MBI150N-060

Общее описание

2MBI150N-060 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Fuji Electric, предназначенный для мощных преобразовательных устройств:

• Промышленные приводы (ЧРП)
• Инверторы и источники питания
• Сварочное оборудование
• Установки возобновляемой энергетики

Модуль выполнен в 2-уровневой структуре (Half-Bridge) и содержит два IGBT с обратными диодами (FRD).

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|---------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) | 150 А (при 25°C) |
| Ток коллектора (I_C) | 75 А (при 100°C) |
| Импульсный ток (I_CP) | 300 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,7 В (тип.) |
| Открывающее напряжение диода (V_F) | 1,8 В (тип.) |
| Мощность рассеяния (P_tot) | 300 Вт |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,25 °C/Вт |
| Корпус | 2MBI (изолированный, с клеммными выводами) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналогичные модули от Fuji Electric

• 2MBI150U4B-060 (аналог с улучшенными параметрами)
• 2MBI150N-120 (версия на 1200 В)
• 2MBI150N-060E (модификация с улучшенным охлаждением)

Совместимые и аналоги от других производителей

| Производитель | Модель | Примечания |
|--------------|--------|------------|
| Infineon | FF150R06KE3 | Аналог на 600 В, 150 А |
| Mitsubishi | CM150DY-24H | Полумостовая конфигурация |
| SEMIKRON | SKM150GB066D | Схожие параметры |
| STMicroelectronics | STGIPS20K60 | IGBT-интеллектуальный модуль |

Применение и особенности

✅ Высокая перегрузочная способность
✅ Низкие потери при переключении
✅ Встроенные антипараллельные диоды
✅ Изолированный корпус для удобного монтажа

⚠ Рекомендуется использовать с радиаторами и принудительным охлаждением при высоких токах.

Если вам нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните запрос!