IGBT 22NAB126V10

Описание IGBT модуля 22NAB126V10

22NAB126V10 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с интегрированным обратным диодом, предназначенный для применения в мощных преобразователях частоты, инверторах, системах управления электродвигателями и источниках бесперебойного питания (ИБП).

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|---------------------------------------| | Тип модуля | IGBT с диодом | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) | 22 А (номинальный) / 44 А (максимальный) | | Ток импульсный (I_CM) | До 88 А (кратковременно) | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | ~150–200 Вт (зависит от условий охлаждения) | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~1,8–2,5 В (при номинальном токе) | | Время включения/выключения (t_on/t_off) | ~50–100 нс (типовое) | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Тип корпуса | Стандартный модуль (например, 62 мм) | | Изоляция | Электрически изолированный корпус |

Парт-номера и совместимые модели

Модуль 22NAB126V10 может иметь аналоги или замены от разных производителей:

Оригинальные и альтернативные парт-номера:

• Infineon: FF200R12KE3 (аналог по характеристикам)
• Mitsubishi: CM200DY-12NF (схожие параметры)
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-120
• SEMIKRON: SKM200GB12T4

Совместимые модели:

• 22NAB126V10 (оригинал)
• 22NMB126V10 (близкий аналог)
• 22NAB120V10 (версия с другим напряжением)
• CM200DY-12NF (Mitsubishi)
• SKM200GB12T4 (SEMIKRON)

Применение

• Преобразователи частоты
• Промышленные приводы
• Сварочные инверторы
• ИБП и солнечные инверторы

Если вам нужна точная замена, рекомендуется проверять datasheet конкретного производителя на соответствие параметров.