IGBT 20NAB12IT42

Описание и технические характеристики IGBT 20NAB12IT42

IGBT 20NAB12IT42 – это высоковольтный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике, инверторах, импульсных источниках питания, системах управления двигателями и других высоковольтных преобразовательных устройствах.

Основные характеристики:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 20 А (при 25°C)
• Импульсный ток (I_CM): 40 А
• Мощность рассеяния (P_tot): 125 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): ~1,8 В (при I_C = 20 А)
• Время включения (t_on): ~30 нс
• Время выключения (t_off): ~120 нс
• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C
• Корпус: TO-247 (или аналогичный)

Парт-номера и аналоги:

• Прямые аналоги:
  • IRG4PH20UD (International Rectifier)
  • FGA20N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
  • H20R1202 (STMicroelectronics)
  • IXGH20N120B (IXYS)
• Совместимые модели:
  • 20NAB12IT42 (оригинал)
  • 20NAB12IT42PBF (Infineon)
  • 20NAB12IT42-ND (Digi-Key)

Применение:

• Инверторы для электродвигателей
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания

Если вам нужна более точная информация по замене, уточните производителя оригинального компонента (Infineon, Mitsubishi, ST и т. д.).