IGBT 131/10D

Описание IGBT 131/10D

IGBT 131/10D – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для управления высокими напряжениями и токами в силовой электронике. Модуль используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и системах электропривода.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип | IGBT-модуль (N-канальный) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1000 В |
| Макс. ток коллектора (I_C) | 10 А |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 20 А |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~1.8 В (при I_C = 10 A) |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 75 Вт |
| Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C |
| Корпус | TO-247 или аналогичный |
| Схема подключения | Одиночный транзистор (1 в модуле) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PC10UD (International Rectifier)
• FGA10N100 (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG10N100 (Microsemi)
• STGW10NC100HD (STMicroelectronics)

Совместимые модели в схемах:

• Подходит для замены в схемах, где требуется IGBT на 1000 В / 10 А.
• Может использоваться вместо IRG4PC10U, FGA10N100, HGTG10N100 с проверкой характеристик.

Применение

• Инверторы и преобразователи частоты
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Импульсные блоки питания

Если нужна точная замена, рекомендуется сверить datasheet конкретного производителя.