IGBT 1200VSKM200GB128D

Описание и технические характеристики IGBT модуля SKM200GB128D

Описание:
Модуль SKM200GB128D – это IGBT-модуль с напряжением 1200 В и током 200 А, предназначенный для мощных преобразователей, инверторов, частотных приводов и других силовых электронных устройств. Модуль содержит два IGBT и два диода, собранные в полумостовую (Half-Bridge) конфигурацию.

Производитель: Semikron (или другой, если указано иначе).

Технические характеристики:

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В | | Ток коллектора (IC @ 100°C) | 200 А | | Ток импульсный (ICM) | 400 А | | Мощность рассеивания (Ptot) | ~500–600 Вт (зависит от охлаждения) | | Тип модуля | Полумост (Half-Bridge, 2 в 1) | | Падение напряжения (VCE(sat)) | ~1.8–2.2 В (при номинальном токе) | | Время включения (ton) | ~50–100 нс | | Время выключения (toff) | ~200–300 нс | | Диод обратного восстановления (trr) | ~100–150 нс | | Температура кристалла (Tj) | -40°C до +150°C | | Корпус | Стандартный (например, SEMiX, SKiiP и т. д.) | | Изоляция корпуса | Да (2500 В AC) |

Парт-номера и совместимые модели

Парт-номера (альтернативные обозначения и аналоги):

• Semikron: SKM200GB12T4 (возможен другой суффикс)
• Infineon: FF200R12KT4
• Mitsubishi: CM200DY-12NF
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-120

Совместимые модели (похожие по характеристикам):

• SKM100GB128D (100 А, 1200 В)
• SKM300GB128D (300 А, 1200 В)
• SKM200GB12T4 (аналог с улучшенными характеристиками)
• SKM200GB063D (600 В версия)

Применение:

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочное оборудование
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электромобильные зарядные станции

Если требуется уточнение по конкретному производителю или дополнительным параметрам, укажите – актуализирую данные.